Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) presenta TDA235E5 è TDA235E0, una famiglia di stadi di putenza intelligenti à doppia fase cuncepita per risponde à i requisiti di densità di putenza in rapida crescita di l'acceleratori AI di prossima generazione è di i moduli di erogazione di putenza verticali. Integrandu i MOSFET OptiMOS™ 6 di Infineon è un circuitu integratu di driver à doppia fase in un pacchettu compactu di 6 x 6 x 0,8 mm³, a nova famiglia furnisce una densità di putenza di riferimentu superiore à 2 A/mm², stabilendu un novu puntu di riferimentu per e prestazioni di u stadiu di putenza in applicazioni di processori AI à alta corrente. Mentre l'iperscaler è l'operatori di datacenter continuanu à scalà l'infrastruttura AI, a dumanda di suluzioni di erogazione di putenza chì combinanu una capacità di corrente più elevata cù una riduzione di l'ingombru fisicu sta diventendu un collu di buttiglia criticu.
«I clienti di Infineon stanu cuncependu sistemi di IA chì definiranu a prossima decina d'anni di l'infrastruttura informatica», hà dettu Rakesh Renganathan, vicepresidente di i circuiti integrati di putenza in Infineon. «I stadii di putenza TDA235E5 è TDA235E0 offrenu à i cuncettori a densità di putenza, e prestazioni termiche è a flessibilità di cuncepimentu per spustassi più rapidamente è custruisce cun fiducia, sustinuti da l'ecosistema cumpletu di furnitura di putenza di u servitore di IA di Infineon».
I dui dispusitivi supportanu finu à 300 A di corrente di piccu è 120 A di corrente di cuncepimentu tutale (TDC), ciò chì li rende adatti per l'acceleratori AI xPU di prossima generazione è ancu per e CPU di server convenzionali in ambienti di datacenter. Sò supportate sia e cunfigurazioni di erogazione di putenza laterale sia verticale, furnendu a flessibilità di cuncepimentu necessaria mentre l'industria passa versu architetture di moduli di putenza verticali in pacchetti di processori AI avanzati. L'impedenza termica superiore da a giunzione à u latu superiore permette una integrazione efficiente di u raffreddamentu à liquidu, una caratteristica chì hè sempre più impurtante mentre i livelli di putenza per socket di processore continuanu à cresce è i budget termichi raffreddati à aria tradiziunali sò esauriti. Cumbinati cù i cuntrolli multifase digitali di Infineon, i stadii di putenza supportanu architetture multi-rail flessibili è scalabili chì riducenu u tempu di implementazione in piattaforme di server AI in rapida evoluzione.
I TDA235E5 è TDA235E0 s'integranu in l'ecosistema di furnitura di putenza di i servitori AI end-to-end di Infineon, chì copre tutta a catena di putenza da l'interfaccia di a rete à i rails di u core di u processore. Cumbinendu i punti di forza cumplementari di u siliciu, u carburu di siliciu è u nitruru di galliu, Infineon furnisce à i clienti di i centri di dati un percorsu pruvatu è scalabile versu a più alta efficienza, robustezza è densità di putenza dispunibule per l'infrastruttura ottimizzata per l'IA. U mercatu di furnitura di putenza di i centri di dati hè unu di i segmenti di dumanda in più rapida crescita di l'industria di i semiconduttori, ciò chì spinge l'investimentu cuntinuu di Infineon in i prudutti per serve sta opportunità à u livellu di i cumpunenti induve i requisiti di densità di putenza sò i più critici.
Data di publicazione: 14 di settembre di u 2026