Fraunhofer IISB (Istitutu per i Sistemi Integrati è a Tecnulugia di i Dispositivi) basatu in Erlangen è PVA TePla AG, fabricatore di sistemi à plasma à microonde è radiofrequenza basatu in Wettenberg, stanu mettendu in cumunu a so cumpetenza in un Laboratoriu Cumunu per a pruduzzione di cristalli di nitruru d'aluminiu (AlN).
Cum'è una prima europea, sta cullaburazione permette a pruduzzione in picculi lotti sustinuti industrialmente di substrati monocristallini AlN cù un diametru di 2 pollici per scopi di R&S. Questu migliora significativamente a dispunibilità di substrati AlN in Europa, chì à u so tornu accelera u sviluppu di dispositivi è sistemi basati nantu à AlN è a so transizione versu applicazioni industriali.
U nitruru d'aluminiu hè unu di i materiali più promettenti per a prossima generazione di elettronica d'alte prestazioni. Cum'è semiconduttore à banda proibita ultra larga (UWBG), l'AlN apre nuove pussibilità in fotonica, elettronica di putenza, elettronica d'alta frequenza è elettronica chì opera in cundizioni estreme. Finu à oghje, a scarsità di substrati AlN di alta qualità, di grande superficie è à bon pattu hà impeditu u sviluppu di sistemi elettronichi basati nantu à l'AlN.
«Cù u Joint Lab, stemu mettendu e basi per assicurà una furnitura affidabile di substrati AlN da l'Europa, aprendu cusì nuove prospettive per a prossima generazione di dispositivi AlN ad alte prestazioni», dice u duttore Sven Besendörfer, capu di gruppu per i materiali di nitruri è rispunsevule di u sviluppu di i materiali AlN à Fraunhofer IISB. «Insieme à PVA TePla, cuntribuemu cù a nostra cumpetenza in a crescita industriale di cristalli, creendu cusì i prerequisiti per u trasferimentu à applicazioni concrete».
A tecnulugia di l'equipaggiu pruvata incontra u sapè fà di prucessu pruprietariu
In u laburatoriu cumunu, Fraunhofer IISB usa a so tecnulugia di prucessu PVT (trasportu fisicu di vapore) pruprietaria per pruduce cristalli di AlN in massa di 2 pollici. In questu prucessu, a polvere di AlN hè vaporizzata in un crogiolu à temperature ben sopra i 2000 °C è dipusitata nantu à un cristallu di sementi. PVA TePla furnisce sistemi PVT per questu scopu, chì sò digià in usu in u mondu sanu per cristalli di carburo di siliciu (SiC) di 8 pollici di diametru è sò stati avà adattati apposta per a crescita di cristalli di AlN di 2 pollici.
Grazie à a cumpetenza di prucessu cuntribuita da Fraunhofer IISB, a squadra PVA TePla hè stata rapidamente capace di pruduce cristalli AlN di qualità paragunabile in e so propie strutture. U Laboratoriu Cumunu si cuncentra nantu à a pruduzzione stabile in picculi lotti di cristalli AlN di 2 pollici. A pruduzzione hè avà aumentata gradualmente per ottimizà sistematicamente a stabilità di u prucessu, a riproducibilità, u rendimentu è e strutture di costu.
«Cù u nitruru d'aluminiu, stemu furmendu attivamente a prossima generazione di tecnulugia dopu à u SiC», dice u duttore Jan Pfeiffer, vicepresidente di R&S in PVA TePla. «Attraversu u Joint Lab, pudemu cumminà direttamente a nostra cumpetenza in materia d'attrezzature cù u sapè fà di prucessu di Fraunhofer IISB, chì ci permette di offre suluzioni orientate à u mercatu à i nostri clienti mundiali in una fase iniziale», aghjusta. «U nostru scopu cumunu hè di stimulà u sviluppu di u mercatu in u settore AlN attraversu substrati adatti è di sustene e cumpagnie chì cercanu di entre in questu campu cum'è partenarii tecnologichi cù l'attrezzature adatte è a cumpetenza di prucessu currispondente».
Rafforzamentu di a suvranità tecnologica europea per via di a scalabilità industriale
I cristalli d'AlN prudutti in u Laboratoriu Cumunu sò ulteriormente trasfurmati à Fraunhofer IISB in substrati d'AlN pronti per l'epi è, per mezu di a sucietà di ricerca è sviluppu di prudutti LZE GmbH, basata in Erlangen, sò specificamente trasferiti in prucessi di sviluppu industriale è di scalatura. "Per a suvranità di i semiconduttori di l'Europa, hè cruciale chì i novi materiali chjave ùn sianu micca solu sviluppati, ma ancu trasferiti rapidamente in applicazioni industriali è creazione di valore scalabile", dice u direttore generale di LZE, u duttore Christian Forster. "Cù u so mercatu per e tecnulugie d'avanguardia, LZE GmbH furnisce à e cumpagnie è à l'istituzioni di ricerca un accessu apertu è unicu à u mondu à i substrati d'AlN. In questu modu, aiutemu à assicurà chì l'applicazioni promettenti per i mercati industriali à grande vulume sianu messe in u mercatu più rapidamente".
Data di publicazione: 20 lugliu 2026