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Nutizie di l'industria: Una nova fabbrica di SiC hè stata stabilita

Nutizie di l'industria: Una nova fabbrica di SiC hè stata stabilita

U 13 di settembre di u 2024, Resonac hà annunziatu a custruzzione di un novu edifiziu di pruduzzione per wafer di SiC (carburu di siliciu) per semiconduttori di putenza in a so fabbrica di Yamagata in a cità di Higashine, prefettura di Yamagata. U cumpletamentu hè previstu per u terzu trimestre di u 2025.

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A nova struttura serà situata in a fabbrica Yamagata di a so filiale, Resonac Hard Disk, è avarà una superficia custruita di 5.832 metri quadrati. Producerà wafer di SiC (substrati è epitaxia). In ghjugnu 2023, Resonac hà ricevutu a certificazione da u Ministeru di l'Ecunumia, di u Cummerciu è di l'Industria cum'è parte di u pianu di garanzia di l'approvvigionamentu per materiali impurtanti designati in u quadru di a Legge di Prumuzione di a Sicurezza Ecunomica, specificamente per i materiali semiconduttori (wafer di SiC). U pianu di garanzia di l'approvvigionamentu appruvatu da u Ministeru di l'Ecunumia, di u Cummerciu è di l'Industria richiede un investimentu di 30,9 miliardi di yen per rinfurzà a capacità di pruduzzione di wafer di SiC in e basi in a cità di Oyama, prefettura di Tochigi; a cità di Hikone, prefettura di Shiga; a cità di Higashine, prefettura di Yamagata; è a cità di Ichihara, prefettura di Chiba, cù sussidi finu à 10,3 miliardi di yen.

U pianu hè di cumincià à furnisce wafers (substrati) di SiC à a cità di Oyama, a cità di Hikone è a cità di Higashine in aprile 2027, cù una capacità di pruduzzione annuale di 117 000 pezzi (equivalente à 6 pollici). A furnitura di wafers epitassiali di SiC à a cità di Ichihara è à a cità di Higashine hè prevista per cumincià in maghju 2027, cù una capacità annuale prevista di 288 000 pezzi (invariata).

U 12 di settembre di u 2024, a cumpagnia hà urganizatu una ceremonia d'apertura di i travagli in u situ di custruzzione previstu di a fabbrica di Yamagata.


Data di publicazione: 16 di settembre di u 2024